买卖IC网 >> 产品目录 >> AGR21090EF 射频MOSFET电源晶体管 RF Transistor datasheet RF/IF 和 RFID
型号：

AGR21090EF

库存数量：可订货
制造商：TriQuint Semiconductor
描述：射频MOSFET电源晶体管 RF Transistor
RoHS：否
详细参数
参数
数值
产品分类 RF/IF 和 RFID >> 射频MOSFET电源晶体管
描述 射频MOSFET电源晶体管 RF Transistor
AGR21090EF PDF下载
制造商 TriQuint Semiconductor
配置 Single
晶体管极性 N-Channel
频率 2.11 GHz to 2.17 GHz
增益 14.5 dB
输出功率 19 W
汲极/源极击穿电压 65 V
漏极连续电流
闸/源击穿电压 15 V
最大工作温度 + 150 C
封装 / 箱体 21090EF
封装
相关资料
属性
链接
代理商 AGR21090EF
AGR21125EF
AGR21180EF
AGR21N090EF
AGR26045EF
AGR26125EF
供应商
公司名
电话
深圳市科翼源电子有限公司 13510998172 朱小姐
深圳市诚达吉电子有限公司 13480615819 莫小姐
深圳市澳亿芯电子科技有限公司 13163738578 廖R
深圳市湘达电子有限公司 0755-83229772-83202753 朱平
万三科技（深圳）有限公司 18188642307 王小康
深圳市信通吉电子有限公司 17841084408 冯
深圳市司马科技有限公司 13533399478 陈义
  • AGR21090EF 参考价格
  • 价格分段 单价(美元) 总价
  • AGR21090EF 相关型号
  • AGR21125EF
    射频MOSFET电源晶体管 RF Transistor
    AGR21180EF
    射频MOSFET电源晶体管 RF Transistor
    AGR21N090EF
    射频MOSFET电源晶体管 RF Transistor
    AGR26045EF
    射频MOSFET电源晶体管 RF Transistor
    AGR26125EF
    射频MOSFET电源晶体管 RF Transistor
    AGR26180EF
    射频MOSFET电源晶体管 RF Transistor
    BF 3020W E6327
    射频MOSFET电源晶体管 RF MOSFETS
    BLA0912-250
    射频MOSFET电源晶体管 LDMOS TNS
    BLA1011-10
    射频MOSFET电源晶体管 BULK TNS-MICP
    BLA1011-2
    射频MOSFET电源晶体管 BULK TNS-MICP