买卖IC网 >> 产品目录 >> AGR21090EF 射频MOSFET电源晶体管 RF Transistor datasheet RF/IF 和 RFID
型号:

AGR21090EF

库存数量:可订货
制造商:TriQuint Semiconductor
描述:射频MOSFET电源晶体管 RF Transistor
RoHS:
详细参数
参数
数值
产品分类 RF/IF 和 RFID >> 射频MOSFET电源晶体管
描述 射频MOSFET电源晶体管 RF Transistor
AGR21090EF PDF下载
制造商 TriQuint Semiconductor
配置 Single
晶体管极性 N-Channel
频率 2.11 GHz to 2.17 GHz
增益 14.5 dB
输出功率 19 W
汲极/源极击穿电压 65 V
漏极连续电流
闸/源击穿电压 15 V
最大工作温度 + 150 C
封装 / 箱体 21090EF
封装
相关资料
供应商
公司名
电话
深圳市科翼源电子有限公司 13510998172 朱小姐
深圳市诚达吉电子有限公司 15013829553 莫小姐
北京首天伟业科技有限公司 010-62565447 刘先生
深圳廊盛科技有限公司 18229386512 李小姐
深圳市佳斯泰科技有限公司 0755-82556079 李先生
深圳市深创盛科技有限公司 0755-82771301 黄小姐.朱先生.寒小姐
深圳市英科美电子有限公司 0755-23903058 张先生
  • AGR21090EF 参考价格
  • 价格分段 单价(美元) 总价
  • AGR21090EF 相关型号
  • AGR21125EF
    射频MOSFET电源晶体管 RF Transistor
    AGR21180EF
    射频MOSFET电源晶体管 RF Transistor
    AGR21N090EF
    射频MOSFET电源晶体管 RF Transistor
    AGR26045EF
    射频MOSFET电源晶体管 RF Transistor
    AGR26125EF
    射频MOSFET电源晶体管 RF Transistor
    AGR26180EF
    射频MOSFET电源晶体管 RF Transistor
    BF 3020W E6327
    射频MOSFET电源晶体管 RF MOSFETS
    BLA0912-250
    射频MOSFET电源晶体管 LDMOS TNS
    BLA1011-10
    射频MOSFET电源晶体管 BULK TNS-MICP
    BLA1011-2
    射频MOSFET电源晶体管 BULK TNS-MICP